雙電測四探針測試儀  型號(hào)：KDB-3

 KDB-3雙組合測試儀是根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)SEMI MF1529設(shè)計(jì)，雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。在本測試方法中，在測試樣品的每個(gè)測量位置上，以兩種不同的方式（配置）將探針連接到提供電流和測量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測量。單組合四探針相比，用較小間距的探針頭就可以進(jìn)行高精度的測量，從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。  
儀器特點(diǎn)如下：  
1、配有雙數(shù)字表：一塊數(shù)字表在測量顯示硅片電阻率的同時(shí)，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時(shí)監(jiān)測全過程中的電流變化，使操作更簡便，測量更**。  
數(shù)字電壓表量程：0—199.99mV  靈敏度：10μV  輸入阻抗：1000ΜΩ  
                        基本誤差±(0.04-0.05%讀數(shù)+0.01%滿度)  
2、可測電阻率范圍：10—4 —1.9×104Ω·cm。  
     可測方塊電阻范圍：10—3 —1.9×105Ω/□。  
3、設(shè)有電壓表自動(dòng)復(fù)零功能，當(dāng)四探針頭1、4探針間未有測量電流流過時(shí)，電壓表指零，只有1、4探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時(shí)，電壓表才指示2、3探針間的電壓（即電阻率）值；同樣，當(dāng)四探針頭1、3探針間未有測量電流流過時(shí)，電壓表指零，只有1、3探針接觸到硅片，測量電流渡過單晶時(shí)，電壓表才指示2、4探針間的電壓（即電阻率）值，避免空間雜散電波對(duì)測量的干擾。  
4、流經(jīng)硅片的測量電流由高度穩(wěn)定（萬分之五精度）的特制恒流源提供，不受氣候條件的影響，整機(jī)測量精度＜3%。  
電流量程分五檔：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。  
5、儀器采用觸點(diǎn)電阻更低（＜5mΩ）、使用壽命更長的轉(zhuǎn)換開頭及繼電器（＞10萬次），在絕緣電阻、電流容量方面留有更大的系數(shù)，提高了測試儀的可靠性和使用壽命。  
6、可選配專用軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)采集,可進(jìn)行雙組合或單組合測量，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切換電壓檔位、讀取相應(yīng)電壓值，根據(jù)不同方法計(jì)算電阻率或方塊電阻值；軟件可對(duì)測量數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，如平均值，大值、小值、大百分變化率、平均百分變化率、徑向不均勻度等內(nèi)容。  
7、可配KDDJ-3電動(dòng)測試架，自動(dòng)上下運(yùn)行，使測量更方便快捷。  
8、四探針頭采用上先進(jìn)的紅寶石軸套導(dǎo)向結(jié)構(gòu)，使探針的游移率減小，測量重復(fù)性提高